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我室举办"CFETR N-NBI中性束系统总体设计及集成"研讨会
2019-08-22| 作者:刘玲

根据国家重点研发计划"CFETR负离子源中性束系统验证样机研制"项目研究进展及相关联系协调工作的需要,我室于2019年8月15日-17日召开了"CFETR N-NBI中性束系统总体设计及集成"研讨会,来自等离子体所、核工业西南物理研究院、大连理工大学、华中科技大学共60余位科研人员参加了本次会议。
会议围绕CFETR N-NBI中性束系统的研制进展,旨在优化NNBI验证样机的总体设计,推动样机总体设计及集成顺利开展。在胡纯栋研究员的主持下,各子课题就射频负离子源研制、负离子源运控及保护接口规划、束传输系统研制、负离子源加速器研制、高压电源研制及场地需求、负离子源三维流体数值模拟进展及射频负离子源壁材料抗辐照特性研究等相关问题开展了专题报告和讨论;围绕项目总体设计及集成,与会专家对课题对各子系统之间的接口方式、接口规格等开展了充分的讨论,并形成了会议备忘录。
本次会议通过对NNBI验证样机集成与实验测试的相关研讨,集业内专家意见与建议为CFETR N-NBI中性束系统的总体设计及集成提供指导,有力地推动了验证样机总体设计及集成工作的开展。


参会代表合影
胡纯栋研究员主持会议
会议报告
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